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C2M0080120D
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC2M0080120DCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark12X8365
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 30.390 |
| 5+ | $ 29.870 |
| 10+ | $ 29.360 |
| 25+ | $ 24.680 |
| 50+ | $ 22.230 |
| 100+ | $ 21.810 |
| 250+ | $ 21.420 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 30.39
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Informação do produto
FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC2M0080120DCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark12X8365
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id31.6A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Power Dissipation Pd208W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Alternativas para C2M0080120D
2 produtos encontrados
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
208W
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.6A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-247
Power Dissipation Pd
208W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
4 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
