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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation Pd
=208W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 30.390 5+$ 29.870 10+$ 29.360 25+$ 24.680 50+$ 22.230 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31.6A | 1.2kV | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-247 | 3Pins | 20V | 3.2V | 208W | 208W | 150°C | ||||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 13.500 10+$ 9.450 25+$ 8.870 50+$ 8.290 100+$ 7.710 | Single | N Channel | N Channel | 45A | 650V | 0.045ohm | 0.045ohm | H2PAK | 7Pins | 20V | 3.2V | 208W | 208W | 175°C | ||||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 9.020 | Single | N Channel | N Channel | 45A | 650V | 0.045ohm | 0.045ohm | H2PAK | 7Pins | 20V | 3.2V | 208W | 208W | 175°C | ||||||
