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SCTWA70N120G2V-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA70N120G2V-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark74AJ1813
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 46.210 |
| 5+ | $ 41.580 |
| 10+ | $ 36.940 |
| 25+ | $ 36.200 |
| 50+ | $ 35.460 |
| 100+ | $ 34.720 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 46.21
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA70N120G2V-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark74AJ1813
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.021ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation Pd547W
Power Dissipation547W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
Power Dissipation
547W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Drain Source On State Resistance
0.021ohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
547W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto