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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMICROELECTRONICS | Each | 1+$ 44.770 5+$ 41.770 10+$ 38.780 25+$ 35.780 60+$ 32.780 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 91A | 1.2kV | 0.021ohm | 0.021ohm | HiP247 | 3Pins | 18V | 2.45V | 547W | 547W | 200°C | |||||
Each | 1+$ 42.100 5+$ 37.800 10+$ 33.490 | Single | N Channel | N Channel | 91A | 1.2kV | 0.021ohm | 0.021ohm | HiP247 | 4Pins | 18V | 2.45V | 547W | 547W | 200°C | ||||||
