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SCTWA60N120G2-4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 35 mohm, HiP247
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA60N120G2-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark57AJ5663
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 22.560 |
| 10+ | $ 17.880 |
| 25+ | $ 17.510 |
| 60+ | $ 17.150 |
| 120+ | $ 16.780 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 22.56
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTWA60N120G2-4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante17 semanas
Código Newark57AJ5663
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance35mohm
On Resistance Rds(on)0.035ohm
Transistor Case StyleHiP247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation389W
Power Dissipation Pd389W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.035ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
389W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
35mohm
Transistor Case Style
HiP247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
389W
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto