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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation Pd
=389W
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MOSFET Module Configuration
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Transistor Polarity
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Drain Source Voltage Vds
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On Resistance Rds(on)
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Drain Source On State Resistance
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 22.560 10+$ 17.880 25+$ 17.510 60+$ 17.150 120+$ 16.780 | Single | N Channel | N Channel | 60A | 1.2kV | 0.035ohm | 35mohm | HiP247 | 4Pins | 18V | 3V | 389W | 389W | 200°C | ||||||
Each | 1+$ 23.290 10+$ 18.080 25+$ 17.580 60+$ 17.080 120+$ 16.580 | Single | N Channel | N Channel | 60A | 1.2kV | 0.035ohm | 35mohm | HiP247 | 3Pins | 18V | 3V | 389W | 389W | 200°C | ||||||
