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SCTH35N65G2V-7AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH35N65G2V-7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50AJ6008RL
Segmento de fita50AJ6008
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 13.500 | $ 13.50 |
| Total Preço | $ 13.50 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.500 |
| 10+ | $ 9.450 |
| 25+ | $ 8.870 |
| 50+ | $ 8.290 |
| 100+ | $ 7.710 |
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Informação do produto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
Nº da peça do fabricanteSCTH35N65G2V-7AGCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante19 semanas
Código Newark
Rodo à Medida50AJ6008RL
Segmento de fita50AJ6008
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleH2PAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd208W
Power Dissipation208W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
208W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
H2PAK
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto