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UF3C065080T3S
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-220
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065080T3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark47AK1756
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.500 |
| 10+ | $ 6.110 |
| 25+ | $ 5.780 |
| 50+ | $ 5.520 |
| 100+ | $ 5.290 |
| 250+ | $ 5.040 |
| 500+ | $ 4.940 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.50
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUF3C065080T3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark47AK1756
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage12V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation190W
Power Dissipation Pd190W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation Pd
190W
Product Range
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
12V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificado de conformidade do produto