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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation
=190W
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MOSFET Module Configuration
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Transistor Polarity
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Channel Type
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Drain Source Voltage Vds
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On Resistance Rds(on)
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 6.830 10+$ 6.420 25+$ 6.080 50+$ 5.800 100+$ 5.560 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31A | 650V | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 5V | 190W | 190W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 6.830 10+$ 6.420 25+$ 6.080 50+$ 5.800 100+$ 5.560 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31A | 650V | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-247 | 3Pins | 12V | 5V | 190W | 190W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 6.500 10+$ 6.110 25+$ 5.780 50+$ 5.520 100+$ 5.290 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31A | 650V | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-220 | 3Pins | 12V | 5V | 190W | 190W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 7.050 10+$ 6.620 25+$ 6.270 50+$ 5.990 100+$ 5.750 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31A | 650V | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-247 | 4Pins | 12V | 5V | 190W | 190W | 175°C | ||||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 18.510 10+$ 13.170 25+$ 12.930 50+$ 12.670 100+$ 12.420 Mais preços... | Single | - | N Channel | 28.8A | 1.2kV | - | 85mohm | D2PAK | 7Pins | 12V | 6V | - | 190W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 6.460 10+$ 6.040 25+$ 5.610 50+$ 5.230 100+$ 4.840 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 31A | 650V | 0.08ohm | 0.08ohm | TO-220 | 3Pins | 12V | 5V | 190W | 190W | 175°C | ||||||
