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NVH4L060N090SC1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 46 A, 900 V, 0.084 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L060N090SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark12AJ7264
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.840 |
| 10+ | $ 12.370 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 17.84
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNVH4L060N090SC1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark12AJ7264
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source Voltage Vds900V
Drain Source On State Resistance0.084ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation221W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSL-
SVHCLead
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
46A
Drain Source On State Resistance
0.084ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
221W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto