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NTH4L040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, TO-247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L040N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark57AK6419
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 21 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 30+ | $ 8.920 |
| 60+ | $ 8.740 |
| 90+ | $ 8.560 |
| 150+ | $ 8.380 |
| 300+ | $ 8.210 |
| 750+ | $ 8.030 |
| 1500+ | $ 7.850 |
| 3000+ | $ 7.670 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 30
Vários: 30
$ 267.60
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTH4L040N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante21 semanas
Código Newark57AK6419
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTH4L040N120M3S
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto