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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG040N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AK6406RL
Segmento de fita57AK6406
Gama de produtosEliteSiC Series
Seu número de peça
160 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 8.760 | $ 8.76 |
| Total Preço | $ 8.76 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.760 |
| 50+ | $ 6.120 |
| 100+ | $ 5.020 |
| 250+ | $ 4.870 |
| 500+ | $ 4.720 |
| 1000+ | $ 4.630 |
| 2500+ | $ 4.530 |
| 5000+ | $ 4.440 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG040N120M3SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante23 semanas
Código Newark
Rodo à Medida57AK6406RL
Segmento de fita57AK6406
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTBG040N120M3S
3 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
