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NTBG040N120M3S
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 51 A, 1.2 kV, 0.052 ohm, D2PAK-7L
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG040N120M3S
Código Newark
Rodo à Medida57AK6406
Segmento de fita57AK6406
Gama de produtosEliteSiC Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 9.180 | $ 9.18 |
| Total Preço | $ 9.18 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço | Preço de promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $ 10.630 | $ 9.180 |
| 10+ | $ 7.490 | $ 7.490 |
| 25+ | $ 7.070 | $ 7.070 |
| 50+ | $ 6.630 | $ 6.630 |
| 100+ | $ 6.210 | $ 6.210 |
| 250+ | $ 6.000 | $ 6.000 |
| 500+ | $ 5.800 | $ 5.800 |
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteNTBG040N120M3S
Código Newark
Rodo à Medida57AK6406
Segmento de fita57AK6406
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id51A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleD2PAK-7L
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.4V
Power Dissipation329W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
51A
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
D2PAK-7L
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
329W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (2)
Alternativas para NTBG040N120M3S
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Rastreabilidade de produtos