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MT53E256M32D2DS-053 AAT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pins
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FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E256M32D2DS-053 AAT:BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH8365
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 52 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 196.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1360
Vários: 1360
$ 267,226.40
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteMICRON
Nº da peça do fabricanteMT53E256M32D2DS-053 AAT:BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante52 semanas
Código Newark80AH8365
Ficha técnica
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
DRAM Density8Gbit
DRAM Memory Configuration256M x 32bit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max1.866GHz
Clock Frequency1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
Memory Case StyleWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Access Time535ps
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Especificações Técnicas
DRAM Type
Mobile LPDDR4
DRAM Density
8Gbit
Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency
1.866GHz
Memory Case Style
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Access Time
535ps
Operating Temperature Max
105°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Memory Density
8Gbit
DRAM Memory Configuration
256M x 32bit
Clock Frequency Max
1.866GHz
IC Case / Package
WFBGA
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (08-Jul-2021)
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Certificado de conformidade do produto