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MSC080SMB120B4N
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.107 ohm, TO-247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC080SMB120B4NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark49AM0327
Gama de produtosmSiC Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 6 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 150+ | $ 5.040 |
| 500+ | $ 4.700 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 150
Vários: 30
$ 756.00
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC080SMB120B4NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark49AM0327
Gama de produtosmSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation161W
Operating Temperature Max175°C
Product RangemSiC Series
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Descrição geral do produto
MSC080SMB120B4N is a 1200V, 80mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
161W
Product Range
mSiC Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidade do produto