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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Drain Source On State Resistance
=0.107ohm
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 8.080 10+$ 5.920 25+$ 5.700 50+$ 5.490 100+$ 5.270 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 20A | 650V | 0.107ohm | 0.107ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 4.5V | 75W | 75W | 150°C | CoolSiC M1 | ||||||
Each | 1+$ 9.450 10+$ 6.010 25+$ 5.760 50+$ 5.510 100+$ 5.260 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 20A | 650V | 0.107ohm | 0.107ohm | TO-247 | 3Pins | 18V | 4.5V | 75W | 75W | 150°C | CoolSiC M1 | ||||||
80AK5515 RoHS | TOSHIBA | Each | 1+$ 9.080 10+$ 8.190 25+$ 7.450 60+$ 6.930 120+$ 6.470 Mais preços... | Single | - | N Channel | 20A | 650V | - | 0.107ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 5V | - | 76W | 175°C | - | ||||
Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 1+$ 7.520 10+$ 4.750 25+$ 4.430 50+$ 4.110 100+$ 3.790 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 24A | 650V | 0.107ohm | 0.107ohm | TO-263 | 7Pins | 18V | 4.5V | 110W | 110W | 175°C | CoolSiC M1 Trench Series | ||||||
49AM0327 | Each | 150+$ 5.040 500+$ 4.700 | Single | - | N Channel | 30A | 1.2kV | - | 0.107ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 5V | - | 161W | 175°C | mSiC Series | |||||
