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MSC040SMA120B4
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC040SMA120B4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark29AK2557
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 9 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 17.990 |
| 5+ | $ 17.530 |
| 10+ | $ 17.060 |
| 25+ | $ 16.590 |
| 50+ | $ 15.520 |
| 100+ | $ 14.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 17.99
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Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC040SMA120B4Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante9 semanas
Código Newark29AK2557
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation Pd323W
Power Dissipation323W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
MSC040SMA120B4 is a 1200V, 40mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Power Dissipation
323W
Product Range
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
323W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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