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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation Pd
=323W
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MOSFET Module Configuration
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Drain Source Voltage Vds
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 24.960 5+$ 24.310 10+$ 23.660 25+$ 23.010 60+$ 20.910 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 66A | 1.2kV | 0.04ohm | 0.04ohm | TO-247 | 3Pins | 20V | 2.7V | 323W | 323W | 175°C | ||||||
Each | 1+$ 17.990 5+$ 17.530 10+$ 17.060 25+$ 16.590 50+$ 15.520 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 66A | 1.2kV | 0.04ohm | 0.04ohm | TO-247 | 4Pins | 20V | 2.6V | 323W | 323W | 175°C | ||||||
