Imprimir página
MSC040SMA120B
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC040SMA120BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark78AH6570
Seu número de peça
30 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
Disponível conforme quantidade indicadaPara solicitar uma quantidade maior do que a exibida no inventário, entre em contato com o departamento de vendas
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 24.960 |
| 5+ | $ 24.310 |
| 10+ | $ 23.660 |
| 25+ | $ 23.010 |
| 60+ | $ 20.910 |
| 120+ | $ 18.810 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 24.96
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteMICROCHIP
Nº da peça do fabricanteMSC040SMA120BCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante6 semanas
Código Newark78AH6570
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd323W
Power Dissipation323W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
MSC040SMA120B is a 1200V, 40mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 3-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
323W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation Pd
323W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos