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SN7002WH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSN7002WH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AC5527RL
Segmento de fita68AC5527
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.350 | $ 1.75 |
| Total Preço | $ 1.75 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.350 |
| 10+ | $ 0.215 |
| 25+ | $ 0.188 |
| 50+ | $ 0.161 |
| 100+ | $ 0.134 |
| 250+ | $ 0.116 |
| 500+ | $ 0.099 |
| 1000+ | $ 0.088 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteSN7002WH6327XTSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark
Rodo à Medida68AC5527RL
Segmento de fita68AC5527
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance5ohm
On Resistance Rds(on)2.3ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.4V
Power Dissipation500mW
Power Dissipation Pd500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Descrição geral do produto
- SIPMOS® small signal transistor
- N-channel
- Enhancement mode
- Logic level
- dv/dt rated
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
On Resistance Rds(on)
2.3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.4V
Power Dissipation Pd
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto