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IMZA120R020M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.0269 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMZA120R020M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark32AK4935
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 28.520 |
| 5+ | $ 26.440 |
| 10+ | $ 24.370 |
| 25+ | $ 22.290 |
| 50+ | $ 20.210 |
| 100+ | $ 19.310 |
| 250+ | $ 18.400 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMZA120R020M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante32 semanas
Código Newark32AK4935
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0269ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation
375W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.0269ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto
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