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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation Pd
=375W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 29.400 5+$ 27.230 10+$ 25.070 25+$ 22.900 50+$ 20.730 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 98A | 1.2kV | 0.019ohm | 0.019ohm | TO-247 | 3Pins | 18V | 4.2V | 375W | 375W | 175°C | CoolSiC Trench Series | ||||||
Each | 1+$ 28.520 5+$ 26.440 10+$ 24.370 25+$ 22.290 50+$ 20.210 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 98A | 1.2kV | 0.019ohm | 0.0269ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 4.2V | 375W | 375W | 175°C | CoolSiC Trench Series | ||||||
