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IMZ120R350M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 8.160 |
| 10+ | $ 5.360 |
| 25+ | $ 5.090 |
| 50+ | $ 4.920 |
| 100+ | $ 4.700 |
| 480+ | $ 4.570 |
| 720+ | $ 4.490 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMZ120R350M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante26 semanas
Código Newark29AH1042
Gama de produtosCoolSiC
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.35ohm
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation Pd60W
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para IMZ120R350M1HXKSA1
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Power Dissipation Pd
60W
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
60W
Product Range
CoolSiC
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
On Resistance Rds(on)
0.35ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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