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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation Pd
=60W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 7.980 10+$ 6.990 25+$ 6.010 50+$ 5.040 100+$ 4.700 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 4.7A | 1.2kV | 0.35ohm | 0.35ohm | TO-247 | 3Pins | 18V | 4.5V | 60W | 60W | 175°C | CoolSiC | ||||||
Each | 1+$ 8.160 10+$ 5.360 25+$ 5.090 50+$ 4.920 100+$ 4.700 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 4.7A | 1.2kV | 0.35ohm | 0.35ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 4.5V | 60W | 60W | 175°C | CoolSiC | ||||||
