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IMW65R027M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 47 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R027M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark78AH7248
Gama de produtosCoolSiC M1
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 18.950 |
| 10+ | $ 16.930 |
| 25+ | $ 14.890 |
| 50+ | $ 12.870 |
| 100+ | $ 12.210 |
| 480+ | $ 11.530 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 18.95
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW65R027M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante50 semanas
Código Newark78AH7248
Gama de produtosCoolSiC M1
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd189W
Power Dissipation189W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
189W
Product Range
CoolSiC M1
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
189W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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