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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation Pd
=189W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 18.950 10+$ 16.930 25+$ 14.890 50+$ 12.870 100+$ 12.210 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 47A | 650V | 0.027ohm | 27mohm | TO-247 | 3Pins | 18V | 4.5V | 189W | 189W | 150°C | CoolSiC M1 | ||||||
Each | 1+$ 19.420 10+$ 17.350 25+$ 15.280 50+$ 13.210 100+$ 12.530 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 59A | 650V | 0.027ohm | 27mohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 4.5V | 189W | 189W | 150°C | CoolSiC M1 | ||||||
