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IMW120R020M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW120R020M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark32AK4931
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 29.840 |
| 5+ | $ 27.640 |
| 10+ | $ 25.460 |
| 25+ | $ 23.260 |
| 50+ | $ 21.080 |
| 100+ | $ 20.110 |
| 480+ | $ 19.160 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 29.84
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Informação do produto
FabricanteINFINEON
Nº da peça do fabricanteIMW120R020M1HXKSA1Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante40 semanas
Código Newark32AK4931
Gama de produtosCoolSiC Trench Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance0.019ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation Pd375W
Power Dissipation375W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation
375W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidade do produto