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G3F60MT06L-TR
Silicon Carbide MOSFET, AEC-Q101, Single, N Channel, 48 A, 650 V, 0.075 ohm, TOLL
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F60MT06L-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7754
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 22 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1000+ | $ 5.720 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1200
Vários: 1200
$ 6,864.00
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3F60MT06L-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark16AM7754
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id48A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTOLL
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.3V
Power Dissipation185W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
48A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.3V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TOLL
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
185W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidade do produto