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G2R1000MT17J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5 A, 1.7 kV, 1.45 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R1000MT17JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark89AH0973
Gama de produtosG2R Series
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 6.310 |
| 10+ | $ 5.650 |
| 25+ | $ 5.410 |
| 50+ | $ 5.240 |
| 100+ | $ 5.070 |
| 250+ | $ 4.850 |
| 500+ | $ 4.690 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 6.31
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG2R1000MT17JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante7 semanas
Código Newark89AH0973
Gama de produtosG2R Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1.45ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Power Dissipation Pd54W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation44W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG2R Series
SVHCLead (19-Jan-2021)
Descrição geral do produto
G2R1000MT17J is a N-Channel enhancement mode silicon carbide MOSFET. Application includes auxiliary power supply, solar inverters (string and central), infrastructure chargers, industrial motors (AC Servos), general purpose inverters, pulsed power, piezo drivers, and Ion beam generators.
- G2R™ technology, softer R v/s temperature dependency, LoRing™ electromagnetically optimized design
- Smaller R and lower QG, low device capacitances, industry-leading UIL and short-circuit robustness
- Robust body diode with low V and low QRR, optimized package with separate driver source pin
- Compatible with commercial gate drivers, low conduction losses at all temperature
- Reduced rining, faster and more efficient switching, lesser switching spikes and lower losses
- Better power density and system efficiency, ease of paralleling without thermal runway
- Superior robustness and system reliability
- Drain-source voltage is 1700V (V = 0V, I = 100µA), power dissipation is 44W (TC=-25°C)
- 1000Mohm drain-source on-state resistance (typ, VGS=20V, ID=2A), 3A ID (TC = 100°C)
- 7pin TO-263-7 package, operating and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Drain Source On State Resistance
1.45ohm
No. of Pins
7Pins
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
44W
Product Range
G2R Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
54W
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos