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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation
=44W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 6.310 10+$ 5.650 25+$ 5.410 50+$ 5.240 100+$ 5.070 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 5A | 1.7kV | 1ohm | 1.45ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 20V | 5.5V | 54W | 44W | 175°C | G2R Series | ||||||
14AM5524 | Each (Supplied on Cut Tape) Segmento de fita | 800+$ 4.530 1600+$ 4.440 2400+$ 4.340 4000+$ 4.270 8000+$ 4.260 Mais preços... | Single | - | N Channel | 5A | 1.7kV | - | 1.45ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 20V | 5.5V | - | 44W | 175°C | - | |||||
