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G3R160MT17J-TR
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 22 A, 1.7 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)
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FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3R160MT17J-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark89AH0979
Gama de produtosG3R Series
Seu número de peça
419 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 14.630 |
| 10+ | $ 11.880 |
| 25+ | $ 11.700 |
| 50+ | $ 11.520 |
| 100+ | $ 11.290 |
| 250+ | $ 11.060 |
| 500+ | $ 10.830 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 14.63
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Informação do produto
FabricanteGENESIC
Nº da peça do fabricanteG3R160MT17J-TRCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante11 semanas
Código Newark89AH0979
Gama de produtosG3R Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Power Dissipation Pd187W
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R Series
SVHCLead (19-Jan-2021)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
187W
Product Range
G3R Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
187W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Documentação técnica (3)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (19-Jan-2021)
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos