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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Power Dissipation Pd
=187W
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Transistor Polarity | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 14.630 10+$ 11.880 25+$ 11.700 50+$ 11.520 100+$ 11.290 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 22A | 1.7kV | 0.16ohm | 0.16ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pins | 15V | 2.7V | 187W | 187W | 175°C | G3R Series | ||||||
50AJ5889 RoHS | Each | 1+$ 15.470 10+$ 14.680 25+$ 14.390 50+$ 13.370 100+$ 12.860 Mais preços... | Single | N Channel | N Channel | 55A | 650V | 0.033ohm | 0.033ohm | TO-247 | 4Pins | 18V | 2.8V | 187W | 187W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
