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ZVP2110A
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 230 mA, 8 ohm, TO-226AA, Through Hole
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FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVP2110ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark98K4111
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 1.760 |
| 10+ | $ 1.160 |
| 100+ | $ 0.824 |
| 500+ | $ 0.818 |
| 1000+ | $ 0.811 |
| 2500+ | $ 0.805 |
| 10000+ | $ 0.798 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 1.76
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Informação do produto
FabricanteDIODES INC.
Nº da peça do fabricanteZVP2110ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante42 semanas
Código Newark98K4111
Ficha técnica
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance8ohm
On Resistance Rds(on)8ohm
Transistor Case StyleTO-226AA
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Descrição geral do produto
The ZVP2110A is a -100V E-Line P-channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET with 8Ω resistance and 700mW power dissipation.
Aplicações
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Automotive
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
8ohm
Transistor Case Style
TO-226AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
On Resistance Rds(on)
8ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Power Dissipation Pd
700mW
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentação técnica (5)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto
