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FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4N075005K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark49AM1491
Gama de produtosEliteSiC Series
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550 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 40.810 |
| 5+ | $ 36.340 |
| 10+ | $ 31.870 |
| 25+ | $ 31.720 |
| 50+ | $ 31.560 |
| 100+ | $ 31.410 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 40.81
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Informação do produto
FabricanteONSEMI
Nº da peça do fabricanteUJ4N075005K4SCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante22 semanas
Código Newark49AM1491
Gama de produtosEliteSiC Series
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage2V
Gate Source Threshold Voltage Max-3.7V
Power Dissipation714W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
-3.7V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
2V
Power Dissipation
714W
Product Range
EliteSiC Series
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (25-Jun-2025)
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