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Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules :
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Drain Source On State Resistance
=4800µohm
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | MOSFET Module Configuration | Channel Type | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | Drain Source On State Resistance | Transistor Case Style | No. of Pins | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 40.810 5+$ 36.340 10+$ 31.870 25+$ 31.720 50+$ 31.560 Mais preços... | Single | N Channel | 120A | 750V | 4800µohm | TO-247 | 4Pins | 2V | -3.7V | 714W | 175°C | EliteSiC Series | ||||||
Each | 1+$ 2,571.910 | Half Bridge | N Channel | 500A | 3.3kV | 4800µohm | Module | 15Pins | 15V | 5.55V | 20mW | 175°C | XHP 2 Series | ||||||
