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Drain Source On State Resistance
=2600µohm
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | Channel Type | Transistor Polarity | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
37AC0717 RoHS | IXYS SEMICONDUCTOR | Each | 1+$ 34.800 5+$ 33.090 10+$ 31.180 25+$ 29.090 50+$ 27.190 Mais preços... | N Channel | N Channel | 360A | 100V | 0.0026ohm | 2600µohm | 100V | 4.5V | 830W | 830W | 175°C | Trench HiperFET | ||||
Each | 300+$ 20.010 | N Channel | - | 360A | 100V | - | 2600µohm | 100V | 4.5V | - | 830W | 175°C | Trench HiperFET Series | ||||||
