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IXFN360N10T
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 360 A, 100 V, 2600 µohm, 100 V, 4.5 V
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN360N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH0750
Gama de produtosTrench HiperFET Series
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 36 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 300+ | $ 20.010 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 300
Vários: 300
$ 6,003.00
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXFN360N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH0750
Gama de produtosTrench HiperFET Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance2600µohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Product Range
Trench HiperFET Series
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
