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IXFN360N10T
MOSFET MODULE, N-CH, 100V, 360A
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FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN360N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark37AC0717
Gama de produtosTrench HiperFET
Seu número de peça
481 Em Estoque
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 34.800 |
| 5+ | $ 33.090 |
| 10+ | $ 31.180 |
| 25+ | $ 29.090 |
| 50+ | $ 27.190 |
| 100+ | $ 26.620 |
| 250+ | $ 25.860 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 34.80
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Informação do produto
FabricanteIXYS SEMICONDUCTOR
Nº da peça do fabricanteIXFN360N10TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante41 semanas
Código Newark37AC0717
Gama de produtosTrench HiperFET
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Drain Source On State Resistance2600µohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Alternativas para IXFN360N10T
1 produto encontrado
Especificações Técnicas
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2600µohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
Trench HiperFET
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (12-Jan-2017)
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