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IXTN600N04T2
Bipolar (BJT) Single Transistor, N Channel, 600 A, 40 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3.5 V
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FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTN600N04T2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH1600
Gama de produtosTrenchT2 GigaMOS Series
Seu número de peça
144 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 42.700 |
| 5+ | $ 39.490 |
| 10+ | $ 36.280 |
| 25+ | $ 34.200 |
| 50+ | $ 32.120 |
| 100+ | $ 30.040 |
| 250+ | $ 29.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 42.70
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Informação do produto
FabricanteLITTELFUSE
Nº da peça do fabricanteIXTN600N04T2Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark03AH1600
Gama de produtosTrenchT2 GigaMOS Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id600A
Drain Source Voltage Vds40V
Drain Source On State Resistance0.0013ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation940W
Operating Temperature Max175°C
Power Dissipation Pd940W
Product RangeTrenchT2 GigaMOS Series
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
600A
Drain Source On State Resistance
0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
940W
Power Dissipation Pd
940W
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
TrenchT2 GigaMOS Series
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos