MOSFET Modules :
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Fabricante
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Power Dissipation Pd
=940W
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Rds(on) Test Voltage
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Gate Source Threshold Voltage Max
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Power Dissipation
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Embalagem
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| Comparar | N.º de peça do fabricante | Código de encomenda | Fabricante / Descrição | Disponibilidade | Preço para | Preço | Quantidade | Channel Type | Transistor Polarity | Continuous Drain Current Id | Drain Source Voltage Vds | On Resistance Rds(on) | Drain Source On State Resistance | Rds(on) Test Voltage | Gate Source Threshold Voltage Max | Power Dissipation Pd | Power Dissipation | Operating Temperature Max | Product Range |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Each | 1+$ 42.700 5+$ 39.490 10+$ 36.280 25+$ 34.200 50+$ 32.120 Mais preços... | N Channel | N Channel | 600A | 40V | 0.0013ohm | 0.0013ohm | 10V | 3.5V | 940W | 940W | 175°C | TrenchT2 GigaMOS Series | ||||||
Each | 1+$ 39.730 5+$ 34.660 10+$ 29.580 25+$ 28.180 50+$ 26.780 Mais preços... | N Channel | N Channel | 480A | 75V | 0.0015ohm | 0.0015ohm | 10V | 5V | 940W | 940W | 175°C | Trench T2 GigaMOS HiperFET Series | ||||||
