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XP6NA3R0H
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 126 A, 0.003 ohm, TO-252, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP6NA3R0HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK7005RL
Segmento de fita70AK7005
Gama de produtosXP6NA3R0 Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 2.030 | $ 2.03 |
| Total Preço | $ 2.03 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 2.030 |
| 10+ | $ 1.800 |
| 25+ | $ 1.640 |
| 50+ | $ 1.470 |
| 100+ | $ 1.300 |
| 250+ | $ 1.130 |
| 500+ | $ 1.040 |
| 1000+ | $ 0.989 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP6NA3R0HCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK7005RL
Segmento de fita70AK7005
Gama de produtosXP6NA3R0 Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id126A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StyleTO-252
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP6NA3R0 Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
126A
Transistor Case Style
TO-252
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP6NA3R0 Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto