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XP3N9R5AMT
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP3N9R5AMTCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK6969RL
Segmento de fita70AK6969
Gama de produtosXP3N9R5A Series
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| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.564 | $ 2.82 |
| Total Preço | $ 2.82 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.564 |
| 10+ | $ 0.465 |
| 25+ | $ 0.415 |
| 50+ | $ 0.371 |
| 100+ | $ 0.322 |
| 250+ | $ 0.286 |
| 500+ | $ 0.231 |
| 1000+ | $ 0.223 |
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Informação do produto
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP3N9R5AMTCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK6969RL
Segmento de fita70AK6969
Gama de produtosXP3N9R5A Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id38.7A
Drain Source On State Resistance9500µohm
Transistor Case StylePMPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP3N9R5A Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38.7A
Transistor Case Style
PMPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
9500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
XP3N9R5A Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto