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XP10TN135N
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3 A, 0.112 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP10TN135NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK6933RL
Segmento de fita70AK6933
Gama de produtosXP10TN135N Series
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Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 5 | $ 0.460 | $ 2.30 |
| Total Preço | $ 2.30 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 5+ | $ 0.460 |
| 10+ | $ 0.281 |
| 15+ | $ 0.255 |
| 25+ | $ 0.229 |
| 50+ | $ 0.203 |
| 125+ | $ 0.177 |
| 250+ | $ 0.155 |
| 500+ | $ 0.132 |
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Informação do produto
FabricanteYAGEO XSEMI
Nº da peça do fabricanteXP10TN135NCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante36 semanas
Código Newark
Rodo à Medida70AK6933RL
Segmento de fita70AK6933
Gama de produtosXP10TN135N Series
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP10TN135N Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP10TN135N Series
SVHC
To Be Advised
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):To Be Advised
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Certificado de conformidade do produto