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C2M1000170J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 5.3 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-263 (D2PAK)
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 13.320 |
| 10+ | $ 11.330 |
| 25+ | $ 9.330 |
| 50+ | $ 7.340 |
| 100+ | $ 6.800 |
| 250+ | $ 6.390 |
| 500+ | $ 5.980 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 13.32
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Informação do produto
FabricanteWOLFSPEED
Nº da peça do fabricanteC2M1000170JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark98Y6014
Gama de produtosC2M
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id5.3A
Drain Source Voltage Vds1.7kV
On Resistance Rds(on)1ohm
Drain Source On State Resistance1ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd78W
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation78W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeC2M
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.7kV
Drain Source On State Resistance
1ohm
Power Dissipation Pd
78W
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
78W
Product Range
C2M
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.3A
On Resistance Rds(on)
1ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
Operating Temperature Max
150°C
MSL
MSL 3 - 168 hours
Documentação técnica (2)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (17-Dec-2015)
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