Imprimir página
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.

FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWNSC2M20120TB6JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4938
Seu número de peça
367 Em Estoque
Precisa de mais?
Entrega em 2-3 Semanas Úteis(UK estoque)
Faça o pedido antes das 20h (EST) para envio convencional
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 15.210 |
| 10+ | $ 13.930 |
| 25+ | $ 13.360 |
| 50+ | $ 12.290 |
| 100+ | $ 11.490 |
| 250+ | $ 10.590 |
| 500+ | $ 10.190 |
| 1200+ | $ 9.740 |
Unidades por pacoteEach (Supplied on Cut Tape)
Mínimo: 1
Vários: 1
$ 15.21
Observação da linha
Adicionado a sua Confirmação de Pedido, Fatura, e Nota de envio apenas para esse pedido.
Informação do produto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWNSC2M20120TB6JCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4938
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id134A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.029ohm
Transistor Case StyleTSPAK
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation592W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
134A
Drain Source On State Resistance
0.029ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TSPAK
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
592W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:A ser informado
Ftalatos compatíveis com RoHS:A ser informado
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
Baixar o certificado de conformidade do produto
Certificado de conformidade do produto