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WMSC006H12B2P6T
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
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FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWMSC006H12B2P6TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4929
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 109.880 |
| 5+ | $ 107.750 |
| 10+ | $ 105.530 |
| 28+ | $ 104.420 |
| 56+ | $ 103.340 |
| 112+ | $ 98.980 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 1
Vários: 1
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Informação do produto
FabricanteWEEN SEMICONDUCTORS
Nº da peça do fabricanteWMSC006H12B2P6TCópia
Prazo de entrega padrão do fabricante24 semanas
Código Newark27AM4929
Ficha técnica
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleWeEnPACK-B2
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation278W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Especificações Técnicas
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
WeEnPACK-B2
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
278W
Product Range
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (21-Jan-2025)
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