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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-1N3768Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark09F3497
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3 Em Estoque
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Entrega em 1-2 semanas
a partir do armazém dos EUA
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 100+ | $ 10.850 |
| 250+ | $ 10.480 |
| 500+ | $ 9.740 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 100
Vários: 100
$ 1,085.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-1N3768Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark09F3497
Ficha técnica
Repetitive Peak Reverse Voltage1kV
Average Forward Current35A
Forward Voltage Max1.8V
Diode Module Configuration-
Diode Case StyleDO-203AB
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max140°C
Forward Surge Current400A
Diode MountingStud
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The VS-1N3768 is a power silicon Rectifier Diode features low leakage current, 1000V maximum repetitive peak reverse voltage and good surge current capability up to 1000A.
Aplicações
Power Management
Especificações Técnicas
Repetitive Peak Reverse Voltage
1kV
Forward Voltage Max
1.8V
Diode Case Style
DO-203AB
Operating Temperature Max
140°C
Diode Mounting
Stud
SVHC
Lead
Average Forward Current
35A
Diode Module Configuration
-
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
400A
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
