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FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-1N1186ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark09F2693
Seu número de peça
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 10 Semana(s)
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 100+ | $ 15.190 |
| 250+ | $ 14.470 |
| 500+ | $ 13.440 |
Unidades por pacoteEach
Mínimo: 100
Vários: 100
$ 1,519.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteVS-1N1186ACópia
Prazo de entrega padrão do fabricante10 semanas
Código Newark09F2693
Ficha técnica
Repetitive Peak Reverse Voltage200V
Average Forward Current40A
Forward Voltage Max1.3V
Diode Module Configuration-
Diode Case StyleDO-203AB
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max200°C
Forward Surge Current800A
Diode MountingStud
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
The VS-1N1186A is a Power Silicon Rectifier Diode offers good surge current capability up to 1000A. It also offers 200V maximum repetitive peak reverse voltage and direct reverse voltage.
- Low leakage current
- -65 to 200°C Junction operating temperature range
Aplicações
Power Management, Industrial
Especificações Técnicas
Repetitive Peak Reverse Voltage
200V
Forward Voltage Max
1.3V
Diode Case Style
DO-203AB
Operating Temperature Max
200°C
Diode Mounting
Stud
SVHC
Lead
Average Forward Current
40A
Diode Module Configuration
-
No. of Pins
2Pins
Forward Surge Current
800A
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Produtos associados
2 produtos encontrados
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto
Rastreabilidade de produtos
