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TSAL6100.
Infrared Emitter, High Power, 940 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
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| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 4000+ | $ 0.167 |
| 12000+ | $ 0.164 |
| 20000+ | $ 0.160 |
Unidades por pacoteEach
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Vários: 4000
$ 668.00
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteTSAL6100.Cópia
Código Newark26AC4775
Ficha técnica
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time800ns
Fall Time tf800ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max2.6V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Descrição geral do produto
The TSAL6100 is a 2-pin high power Infrared Emitting Diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power. It is suitable for high pulse current operation. It features good spectral matching with Si photodetectors, ±10° angle of half intensity and 940nm peak wavelength. It is suitable for use in infrared remote control units with high power requirements, free air transmission systems, infrared source for optical counters and card readers, IR source for smoke detectors.
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- Low forward voltage
Especificações Técnicas
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
800ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
800ns
Forward Voltage VF Max
2.6V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documentação técnica (1)
Alternativas para TSAL6100.
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Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Não
Ftalatos compatíveis com RoHS:Não
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):No SVHC (07-Nov-2024)
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