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SUM70030M-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-263
Disponível para encomenda
Tempo de Espera Habitual do Fabricante 56 Semana(s)
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 5.900 | $ 5.90 |
| Total Preço | $ 5.90 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 5.900 |
| 10+ | $ 3.930 |
| 25+ | $ 3.560 |
| 50+ | $ 3.180 |
| 100+ | $ 2.810 |
| 250+ | $ 2.610 |
| 500+ | $ 2.390 |
Observação da linha
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUM70030M-GE3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante56 semanas
Código Newark
Rodo à Medida15AJ3257RL
Segmento de fita15AJ3257
Gama de produtosTrenchFET
Ficha técnica
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id150A
On Resistance Rds(on)0.0029ohm
Drain Source On State Resistance3500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Especificações Técnicas
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0029ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
No. of Pins
7Pins
Product Range
TrenchFET
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Documentação técnica (1)
Legislação e Ambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Sim
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidade do produto