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SUD50P08-25L-E3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 50 A, 0.0252 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
A imagem é meramente ilustrativa. Consulte a descrição do produto.
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUD50P08-25L-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante62 semanas
Código Newark
Rolo completo75M5646
Rodo à Medida70AC6528
Segmento de fita70AC6528
Seu número de peça
1,744 Em Estoque
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a partir do armazém dos EUA
Opções de embalagem
| Tipo de Embalagem | Quantidade | Preço unitário: | Total |
|---|---|---|---|
| Segmento de fita | 1 | $ 4.020 | $ 4.02 |
| Total Preço | $ 4.02 | ||
Segmento de fita & Rodo à Medida
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 1+ | $ 4.020 |
| 10+ | $ 2.760 |
| 25+ | $ 2.520 |
| 50+ | $ 2.280 |
| 100+ | $ 2.040 |
| 250+ | $ 1.890 |
Rolo completo
| Quantidade | Preço |
|---|---|
| 2000+ | $ 1.320 |
| 4000+ | $ 1.190 |
| 6000+ | $ 1.150 |
| 10000+ | $ 1.100 |
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Informação do produto
FabricanteVISHAY
Nº da peça do fabricanteSUD50P08-25L-E3Cópia
Prazo de entrega padrão do fabricante62 semanas
Código Newark
Rolo completo75M5646
Rodo à Medida70AC6528
Segmento de fita70AC6528
Ficha técnica
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0252ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Descrição geral do produto
SUD50P08-25L-E3 is a P-channel 80-V (D-S) 175°C MOSFET.
- TrenchFET® power MOSFET
- Drain-source breakdown voltage is -80V min at VGS = 0V, ID = - 250µA, TJ = 25°C
- Zero gate voltage drain current is -1µA max at VDS = -80V, VGS = 0V, TJ = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 0.021ohm typ at VGS = -10V, ID = -12.5A, TJ = 25°C
- Continuous source-drain diode current is -50A max at TC = 25°C
- Body diode reverse recovery charge is 110nC typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Gate resistance is 4ohm typ at f = 1MHz
- Reverse recovery fall time is 37ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Reverse recovery rise time is 18ns typ at IF = -10.5A, di/dt = 100A/µs, TJ = 25°C
- Operating junction and storage temperature range from -55 to 175°C
Especificações Técnicas
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0252ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Documentação técnica (2)
Alternativas para SUD50P08-25L-E3
1 produto encontrado
Legislação e Ambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conformidade RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalatos compatíveis com RoHS:Sim
RoHS
SVHC (substâncias que suscitam elevada preocupação):Lead
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Certificado de conformidade do produto